DDR3内存的PCB仿真与设计

【导读】当今计算机系统DDR3存储器技术已得到广泛应用,数据传输率一再被提升,现已高达1866Mbps。在这种高速总线条件下,要保证数据传输质量的可靠性和满足并行总线的时序要求,对设计实现提出了极大的挑战。相关阅读:pcb线路板下半年订单旺
本文主要使用了Cadence公司的时域分析工具对DDR3设计进行量化分析,介绍了影响信号完整性的主要因素对DDR3进行时序分析,通过分析结果进行改进及优化设计,提升信号质量使其可靠性和安全性大大提高。
2 DDR3介绍
DDR3内存与DDR2内存相似包含控制器和存储器2个部分,都采用源同步时序,即选通信号(时钟)不是独立的时钟源发送,而是由驱动芯片发送。它比DR2有更高的数据传输率,最高可达1866Mbps;DDR3还采用8位预取技术,明显提高了存储带宽;其工作电压为1.5V,保证相同频率下功耗更低。
DDR3接口设计实现比较困难,它采取了特有的Fly-by拓扑结构,用“Write leveling”技术来控制器件内部偏移时序等有效措施。虽然在保证设计实现和信号的完整性起到一定作用,但要实现高频率高带宽的存储系统还不全面,需要进行仿真分析才能保证设计实现和信号质量的完整性。
3 仿真分析
对DDR3进行仿真分析是以结合项目进行具体说明:选用PowerPC 64位双核CPU模块,该模块采用Micron公司的MT41J256M16HA—125IT为存储器。Freescale公司P5020为处理器进行分析,模块配置内存总线数据传输率为1333MT/s,仿真频率为666MHz。
3.1仿真前准备
在分析前需根据DDR3的阻抗与印制板厂商沟通确认其PCB的叠层结构。在高速传输中确保传输线性能良好的关键是特性阻抗连续,确定高速PCB信号线的阻抗控制在一定的范围内,使印制板成为“可控阻抗板”,这是仿真分析的基础。DDR3总线单线阻抗为50Ω,差分线阻抗为100Ω。
设置分析网络终端的电压值;对分析的器件包括无源器件分配模型;确定器件类属性;确保器件引脚属性(输入\输出、电源\地等)……
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